Rambus DESIGN SEMINAR In Tokyo

“さらなる高速メモリへの挑戦”

今年1月31日、ラムバスは自身の提唱する完全差動メモリインタフェイス、テラバイトバンド幅イニシアチブの伝送レートを20Gbpsに引き上げると共に、シングルエンドのメモリインタフェイスの伝送レートを12.8Gbpsまで延長する技術を開発したことを発表致しました。
これらの革新的な技術は、単に回路技術だけでなく、メモリシステムアーキテクチャ、SI/PI解析技術、システムエンジニアリングといった広範囲にわたる技術の積み上げが不可欠です。本セミナでは、このような基礎的な技術を中心に講演を行います。

セミナ概要

タイトル
ラムバス デザイン セミナ in 東京
日時
2011年12月1日(木)10:00~17:10(開場/9:30~)
会場
セルリアンタワー東急ホテル B2F
〒150-8512 東京都渋谷区桜丘町26-1 (MAP
Tel.03-3476-3000
備考
入場無料・事前登録制・昼食付き

* 2010年 RDS Tokyo 会場風景

新型PlayStation®3
(CECH-2500B) チャコール・ブラック
PlayStation3
©2009 Sony Computer Entertainment Inc.
ipod touch (8GB)
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来場者に抽選で、
豪華賞品が当たります!


タイムテーブル

Welcome and Memory Market Trend Update (10:00-12:00)
10:00

1. Welcome - ラムバスプロダクトとテクノロジロードマップ
ラムバス社 副社長兼 ラムバス株式会社 代表取締役社長 エリック・リース

10:40

2. 「次世代メモリ・システムの技術課題と展望 ~進化する最先端コンピューティングからの挑戦に挑む~」
ラムバス株式会社 マーケティングマネージャ 小屋 義人

近年クラウド・コンピュティング、タブレット、スマートフォンの目覚ましい発展、ウルトラ・ブックの登場、更に環境負荷・エネルギー消費低減への対応はメモリ開発者に対して大きな衝撃を与えています。コンピュータシステムの急速な低消費電力化、高度化と進化に伴い、メモリベンダーは従来と違ったユースモデルの対応に迫られると同時に、更なるフォームファクタの小型化、軽量化、そして高性能なメモリサブシステムの大幅な省消費電力化の実現という課題に直面しています。本稿ではこれらの重要課題に関して、ラムバスの戦略と価値ある革新的・先導的技術についてご紹介します。

11:20

3. 「高速モバイル機器に最適なDRAMソリューション」
エルピーダメモリ株式会社 DRAM Business Unit テクニカルマーケティングGr.
モバイルカスタマサポート エグゼクティブプロフェッショナル 吉冨 安雄様

スマートフォンに代表されるモバイル機器向けDRAMにも高速化が求められています。エルピーダメモリは、低消費電力と高速を兼ね備えたモバイル機器に最適なDRAMソリューションを提供します。

12:00 12:00-13:00 Lunch + Exhibition (60 mins)
Techonology Session (13:00-16:55)
13:00

4. 周波数逓倍器停止状態から8nsで復帰する5.6Gbps 2.4mW/Gbpsの双方向リンク
ラムバス株式会社 フィールドアプリケーションエンジニア 星野 力

サーバーシステムでは、メモリサブシステムが最大稼動することは稀であり、多くの場合50%以下の稼働率で動作しています。 低消費電力のシステムを実現するには、稼働率に比例して電力が減少することが理想ですが、現実には稼働率が減少するに従い、消費電力効率が低下します。 一つの改善策として、ラムバスでは、アイドル時の消費電力を出来るだけ低減するため、周波数逓倍器停止状態からデータ送受信開始まで、わずか8nsで復帰する高速双方向リンクを開発し、VLSI2011において発表致しました。 本講演では、VLSIでの発表内容を元に、主要な設計要素、測定結果について解説いたします。

14:00

5. DDR2/DDR3マルチモードPHYの低コストシステム設計および評価
ラムバス株式会社 フィールドアプリケーションエンジニア 佐野 幸司

コンシューマ機器においては、高機能化と同時に低コスト化も重要な設計課題です。 ラムバスでは、低コストワイヤボンドパッケージ・4層FR4基板を使用しながらも、DDR3 1600Mbps以上で動作するDDR2/DDR3マルチモードPHYテストチップを開発しました。そのテストチップを搭載したシステムのパッケージ設計、PCB設計及びSI/PI解析手法、解析結果について解説します。

14:50 14:50-15:05 Break (15 min)
15:05

6. Gbpsシステムにおける電源ノイズ誘起ジッタの予測と実測
ラムバス株式会社 フィールドアプリケーションエンジニア 佐野 幸司

コンシューマ機器の急速な高機能化に伴い、メモリシステムに要求されるバンド幅も上昇しています。
そのため、データレートは向上し、メモリインタフェースのバス幅も増加しています。
従って、インタフェースのタイミングマージンは減少すると共に、同時切り替え電源ノイズも増大しています。
一方、プロセス技術の微細化による低電圧化により、電源ノイズに対する高速回路の耐性は低下しています。
本講演では、電源ノイズ誘起ジッタの仕組みをはじめとして、電源ノイズスペクトラム、ジッタ-ノイズ感度、ジッタスペクトラムなどの重要な概念を紹介し、ジッタの予測と測定手法を解説します。

15:55

7. 3次元実装技術を利用した3つの実用化技術
株式会社リキッド・デザイン・システムズ 代表取締役 遠山 直也様

当社は3次元IC技術にフォーカスしたベンチャー企業で、3次元ICのマーケティング、技術コンサルティング、設計・検証・試作環境開発をしております。
本講演では
① Siインターポーザを利用したメモリーとロジックLSI の3次元集積システム
② インターポーザの高機能化 --- 受動素子、アナログ回路、小規模ロジック等の集積 --- と適用例
③3DIC多機能化の一例として、LED素子とLSIを3次元集積するインテリジェントLEDのコンセプト
を紹介します。

16:15

8. 3次元実装パッケージにおけるオンチップ測定を用いた評価手法
ラムバス株式会社 フィールドアプリケーションエンジニア 星野 力

3次元実装パッケージでは、チップ間インタフェースがパッケージ内部で閉じているため、外部からの物理的な接触を必要とする従来の波形観測による評価手法が困難となります。
また、高速化に伴い重要度が増している電源供給網の設計においては、設計との相関を確認するため、電源供給網インピーダンス測定の要求が高まっています。しかし、パッケージインダクタンスの影響により、外部からの直接測定は困難です。
本講演では、オンチップ測定により、上記の問題を解決する手法とその測定結果について解説します。

17:05

Q & A

17:10

Lucky draw & Closing

抽選会&閉会のご挨拶 エリックリース

タイムテーブル、講師は変更になる可能性がございます。

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